半导体芯片制造用超纯水遵循‌国际SEMI标准、ASTM标准和中国国家标准GB/T 11446.1-2013‌，核心指标会根据制程精度调整，越先进的制程要求越严苛，具体指标如下：

核心关键指标

表格

其他管控指标要求

1. ‌溶解氧（DO）‌：先进制程要求≤1 ppb，避免氧化层影响芯片质量

2. ‌微生物‌：要求近零检出，通常控制在＜1 CFU/100mL

3. ‌硼、硅等特定元素‌：硼元素需控制在ppt级别，避免影响PN结结构；硅元素需严格控制，防止形成晶圆水斑

不同标准的差异本质是制程精度需求：制程节点越小（如7nm、5nm）对超纯水杂质的容忍度越低，SEMI F63作为目前*严苛的标准，专门服务先进制程芯片生产。